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■news

2004/02/25

yasuda:: 設計
　この手のソフトは安全性が最優先だと思う．
かなり安全には気をつけなくてはならないが，もしこれで事故等があった場合は誰が責任を負うのだろうか？
良く考えると，「ハイリスク，ノーリターン」な気がする．
OSがWindowsだし，もし夜中にハングってとんでもない電圧を出したら色々もれマックス．(怖い怖い)
実際自分では責任を負えません．(製造物責任法ってこういうものにも適応されるのですか？)

■研究：本日の成果
• 設計書作成









2004/02/23

yasuda:: 設計書
　おもむろに設計書を書き出す．

■研究：本日の成果
• 設計書作成









2004/02/19

yasuda:: 卒論発表
　他の学科で発表．
うちの研究室でこそ，研究員全員で同じテーマで研究してるけど，他の研究は一人1つのテーマがあるので決行大変なのではないかと思う．

■研究：本日の成果
• 卒論発表









2004/02/17

yasuda:: 卒論発表
　とりあえず自分の学科で発表．結構みんな色々な研究やってるんですね．

■研究：本日の成果
• 卒論発表









2004/02/13

yasuda:: 提出
　先生にハンコをもらい提出．できれば表紙と紙代が欲しいところ．
おつかれ～．後は発表．
PDF

■研究：本日の成果
• 卒論提出









2004/02/12

yasuda:: 印刷
　明日提出なので，印刷．チョットオフセットがずれた．
教訓，Wordを使って編集する場合，「セクションを区切るときはヘッダの調整が終わった後にする。」

今回あまり使わなかったが，Wordの数式番号のクロスリファレンスに関する検討を行ってみた．
結論として，「ブックマークをつけてクロスリファレンスを維持」
ということでVBマクロ
Wordのテンプレートに以下のマクロを追加．
日付け+時間の番号を付けるのでそれをクロスリファレンスで参照する．
前もって「式ラベル」という書式を用意しておく


Sub 式番号の入力()
'
' 式番号の入力 Macro
' 記録日 2004/01/12 記録者 key
'
' 式を１行に書き、式の右側で実行
' 「()」を付け、それにeq_をプレフィックスとする日付のブックマークをつけ
' その中に「見出し 1の章番号-章内の式の数」を挿入する
' その行を「式ラベル」の書式に設定
' ※注意 1秒以内に実行しないでください
'
    ret = MsgBox("式ラベルをつけます。よろしいですか？", vbYesNo)
    If VbMsgBoxResult.vbNo = ret Then
        Exit Sub
    End If
    Selection.TypeText Text:=vbTab
    Selection.TypeText Text:="()"
    Selection.MoveLeft Unit:=wdCharacter, Count:=2, Extend:=wdExtend
    With ActiveDocument.Bookmarks
        .Add Range:=Selection.Range, Name:="eq_" & Format(Now, "yyyymmddhhmmss")
        .DefaultSorting = wdSortByName
        .ShowHidden = True
    End With
    Selection.MoveRight Unit:=wdCharacter, Count:=1
    Selection.MoveLeft Unit:=wdCharacter, Count:=1
    Selection.Fields.Add Range:=Selection.Range, Type:=wdFieldEmpty, Text:= _
        "STYLEREF  ""見出し 1"" \n \t \* ARABIC", PreserveFormatting:=True
'    Selection.TypeText Text:="-"
    Selection.TypeText Text:=Chr(30)
    Selection.Fields.Add Range:=Selection.Range, Type:=wdFieldEmpty, Text:= _
        "SEQ 式 \* ARABIC \s 1", PreserveFormatting:=True
    Selection.Style = ActiveDocument.Styles("式ラベル")
End Sub



■研究：本日の成果
• 卒論印刷









2004/02/11

yasuda:: 最終チェックの直し
　なんだか筋肉痛
結構ズバズバと直された（ぉ
見ていただけるのはありがたいです．
今日は修論の発表会です．ということで他分野(好きな分野)の修論発表を聞きに行く．
「これは凄い」というのが若干少なかった．
実際問題2年間のまとめを10分で発表するなんて不可能に近いしなぁと思いつつ...．


■研究：本日の成果
• 卒論
• 修論発表会









2004/02/09

yasuda:: 最終チェック
　ということで，かえるまでにいちよう完成．


最近の主食


■研究：本日の成果
• 卒論









2004/02/06

yasuda:: 卒論題目，レジメ
　卒論題目とレジメを提出．題目はギリギリまで決まっておらず，修論と同じ題名に(同じ研究なのでいいのですが)．
レジメは改定10版くらいでやっと完成．といいつつ，ギリギリに授業がある(ぉ
結局提出したのは提出期限の9分前．(あぶねー)
次は卒論提出だ～(2/13)


修論印刷


■研究：本日の成果
• 卒論題目，レジメ提出









2004/02/05

yasuda:: わからんちんともとっちめちん
　とんちんかんちん


クリップ


■研究：本日の成果
• 論文









2004/02/04

yasuda:: サイレン
　「これは訓練ではない！繰り返す！これは訓練ではない！」
水素検出器なってるし...
つい10分前に火災報知器の定期点検でうるさくしてたのだが...


水素検知器


■研究：本日の成果
• 論文
• サイレン



yasuda:: アブスト
　さらに修正される。

■研究：本日の成果
• アブスト先生に見せる









2004/02/03

yasuda:: アブスト
　M2の他の人にもアブスト見てもらう。結構修正される。限られた文章でとは言うが、A4、2段組、49行は結構入る。

■研究：本日の成果
• アブストチェック
• 論文









2004/02/02

yasuda:: アブスト
　週末に書いたアブストを修正してM2のN先輩にチェックを入れてもらう。
結構ごちゃごちゃ。

■研究：本日の成果
• アブストチェック
• 論文









2004/02/01

yasuda:: 今日から2月！
　今日から2月！時間が無いぞ～いそげいそげ～

■研究：本日の成果
• 卒論









2004/01/31

yasuda:: ぐう
　今週は飲み会が多い。

■研究：本日の成果
• 卒論









2004/01/30

yasuda:: 英語
　資料作り

■研究：本日の成果
• 卒論









2004/01/29

yasuda:: 卒論
　終始卒論執筆

■研究：本日の成果
• 卒論









2004/01/28

yasuda:: 見学
　産業記念館へ見学。T○Y○TAの栄枯。最近織機は売れないのかしら？他社製品が多いのはやっぱりそっちを開発するより自動車ってことかな。ともかく国内、国外ともに車系メーカは好調なニュースを聞く。
プレス！工場の機械が本気で動くのには感動した。展示だけでなく実演まで！
結構熱い

■研究：本日の成果
• 卒論









2004/01/27

yasuda:: 卒論
　終始卒論執筆

■研究：本日の成果
• 卒論









2004/01/26

yasuda:: がんばろう会
　卒論締め切り前に指揮を向上させる！

■研究：本日の成果
• 卒論









2004/01/23

yasuda:: English
　ここに来て英語プレゼンの授業(ォィ

■研究：本日の成果
• 卒論









2004/01/22

yasuda:: 卒論
　終始卒論執筆

■研究：本日の成果
• 卒論









2004/01/21

yasuda:: 卒論
　終始卒論執筆

■研究：本日の成果
• 卒論









2004/01/20

yasuda:: PC修理
　メモリ差し直し起動した。(たぶん気合いが足りない)
ついでに最近ちょくちょくセクタ不良が出て良い感じ。


破損？


■研究：本日の成果
• PC修理
• 卒論









2004/01/19

yasuda:: PC不調
　N助手のPCが不調。起動しない。電源が入らない。
よくわからない(というより、ハードウェア的問題な気がする)のでメーカ修理へ。
その前にHDDバックアップ。研究データが詰まってますので、取り扱いには要注意。
IDEのセカンダリに接続してWin2kからWinXpのディスク内を見ることに。
NTFSディスクなのでセキュリティが堅く、所有者を変更しコピー。(どうやってこのPCに無い所有者を指定すれば良いのだろうか？ユーザ名だけで良いの？)
ともあれバックアップ。

ともったら自分のPCが立ち上がらなくなる。(新手のウィルスか！？)
いや、論文を書くなということか？

■研究：本日の成果
• PC修理。
• 論文









2004/01/16

yasuda:: 修論
　「論文持って返っちゃだめ」とのこと。そりゃそうだな。

■研究：本日の成果
• 論文









2004/01/15

yasuda:: 卒業旅行
　旅行決定！決まりました。あっさりさっぱり。coop安い。

■研究：本日の成果
• 卒業旅行



yasuda:: 事例研究発表会
　事例研究の発表会があった。非常に忙しかった。
事業計画書と発表資料を作って提出・発表。
事業計画書を作ったが発表資料がぎりぎりになって完成したので、直前で図の差し替え。ひぇ～
結局開始時間30分前に完成。
ともかく印刷。
かなり時間の割かれる授業だと思った。

■研究：本日の成果
• 論文









2004/01/14

yasuda:: ただいま執筆中
　ただいま執筆中

■研究：本日の成果
• 論文









2004/01/13

yasuda:: ANA
　PL測定時に用いる分光器固定用に除震台に穴空け。
ドリル折れる。
ついでに工作センターが研修中でドリルを借りれない。後日ということで。

■研究：本日の成果
• 穴空け
• 論文









2004/01/09

yasuda:: セール
　生協でココナッツサブレ通常価格100円のところが80円に！
とりあえず物資補給．


主食


■研究：本日の成果
• 論文









2004/01/08

yasuda:: ただいま執筆中
　ただいま執筆中

■研究：本日の成果
• 論文









2004/01/07

yasuda:: 始業式
　...などは特になく。いきなり遅刻した。
新年早々、ネットワークが微妙になっているし...。
ともかくデータをざっと整理。

■研究：本日の成果
• 論文









2004/01/06

yasuda:: 休日出勤
　まだ，年明け休みだけど，ちょっと早めに出てきた．
成長ノートを借りていたので，早めに返却するという目的もあるけど...
これまで，大体のデータを集めたので，今日からまじめに論文書き始めます．

先生来た．

ねむいっぽ．
(卒業旅行考えねば...)

■研究：本日の成果
• 論文書き始め









2003/12/26

yasuda:: 大掃除
　遅れました． 掃除を簡単にして終わり．
ついでに，実験データをすべてバックアップ．

■研究：本日の成果
• 大掃除
• データバックアップ



yasuda:: 終業
　とりあえず本年の安田研は終業です．良いお年を．

■研究：本日の成果
• 大掃除









2003/12/25

yasuda:: 大掃除
　本来明日大掃除灘，前段階として8割の掃除をしてしまう．
早くやることに悪くは無いけど，なかなかめんどくさい，卒論で使うデータをとりあえず今年中に造っておきたいと思っているので，トッととやらなければ...
ついでに分光器を返却．


回折格子


■研究：本日の成果
• 大掃除
• 卒論データ作成









2003/12/24

yasuda:: 移動度
　結局移動度の計算方法があまり見えてこない．

■研究：本日の成果
• 論文検討(TOF)



yasuda:: 持ち回り
　ということで，ZnTeの成長．月曜日の成長では良好なものができていたので，再度条件だし．

■研究：本日の成果
• 持ち回り









2003/12/19

yasuda:: TOF
　TOFは短い時間の間にホール/電子がどのようにトラッピングされたり，デトラッピングされるかを計測するために行ったのだが，計算事態を他の大学の先生が行ったため，不明．詳細追求中

■研究：本日の成果
• 論文検討(TOF)









2003/12/18

yasuda:: 論文検討
　データ解析中．実際300回近く成長を行っていて，そのうち，試料の計測を複数回にわたって行っているので，見なければいけないデータが大量にある．
また理論も，考察することも増える．
この研究自体が不定パラメータが多いので，それをどのように並べて図示し，どのように考察するかを考えるのは結構大変である．

■研究：本日の成果
• 論文検討(Iドープ)









2003/12/17

yasuda:: 持ち回り
　ということで，ZnTeの成長．

■研究：本日の成果
• 持ち回り



yasuda:: 論文検討
　データ解析中

■研究：本日の成果
• 論文検討(Iドープ)









2003/12/16

yasuda:: 卒論検討
　取り合えずデータ収集．

■研究：本日の成果
• 論文検討(Iドープ)









2003/12/15

yasuda:: 卒論検討
　とりあえず目次とデータを造っておいて，来年から考察内容を書くことにする．データが無いままに考察は書けないので，そちらが急務．とりあえずIドープについて調べる．データの比較検討


■研究：本日の成果
• 論文検討(Iドープ)



yasuda:: MOVPE成長装置
　MOVPE成長装置は保留．論文書き終わってからで良いでしょ．っていつやるんだ？
簡単な見積もりをしてみる．

項目	内容	工数
ボードテスト	A/D，D/A，I/Oのボードテスト	10h
ActiceXの調査	各ボードのActiveXの機能を調査	10h
以前の制御プログラムのインタフェース調査	以前の制御プログラムのインタフェースを調査	20h
以前の制御プログラムの調査	以前の制御プログラムはどのように振る舞っていたかを調査	30h
以前のスクリプトベース成長プログラムの仕様調査	以前のスクリプトベース成長プログラムの仕様を調査	30h
制御プログラム基本設計	以前のスクリプトベースのプログラムと互換性を保ちつつ，新たな制御プログラムに移行できるよう設計する	30h
制御プログラム詳細設計	詳細設計を行い問題点が無いか検討する．	50h
制御プログラム開発	詳細設計に基づき制御プログラムを作成する．	70h
制御プログラム単体テスト	テスト仕様をを作成し，プログラムが正常に動作することをテストする．	50h
制御プログラム実機テスト	単体テストが正常に通過したことを確認した上で，実際にMOVPE装置が正常に動作するかを確認	50h
スクリプトベース成長プログラム支援ソフト設計	スクリプトベース成長プログラムを作成するためにソフトを設計	20h
スクリプトベース成長プログラム支援ソフト開発	スクリプトベース成長プログラムを作成するためにソフトを開発	20h
スクリプトベース成長プログラム支援ソフトテスト	スクリプトベース成長プログラムを作成するためにソフトをテスト	20h
合計		410h

実際技術ベースの話してこの程度かかる．8h/日で計算して52日かかる．3人月ぐらい．
受注するなら4.5人月で受注します．
よく考えたらあり得ない．こんなに工数画がかかる作業を今から...あるいは卒論が終わってから...．全く冬休みが無いか，設計だけして終わるか...．
早速デスマーチな予感．

■研究：本日の成果
• MOVPE成長プログラム
• 見積もり









2003/12/12

yasuda:: MOVPE成長装置
　ボードが正常動作するかテスト．A/D，D/Aは正常に動作することを確認．
I/Oはバイアスが必要な為に，実験できず．
研究室メンバーはすでに論文書き始めています．相当出遅れそう．

■研究：本日の成果
• MOVPE成長プログラム









2003/12/11

yasuda:: MOVPE成長装置
　結局こんな論文書き始める時期にMOVPE成長装置のPCを取り替えるためプログラムを作る依頼が来た．悲惨だ．全く計画がなってない．論文をプログラムで書かせるのであれば全然かまわないが，そうではあるまい．
とりあえずA/Dボード，D/Aボード，I/Oボードを取り付けインストール．Xpはやっぱり微妙だ．

■研究：本日の成果
• MOVPE成長プログラム









2003/12/10

yasuda:: 再びZnTe
　先生曰く
「Iドーピングは時間的に厳しいので，また今度にしてとりあえずZnTeやって成長温度を検討しよう」
とのこと．

たしかにIドープは時間掛かるので，いまからやるのは厳しい．CdZnTeで行きたいところだけど，Znが怪しい，

■研究：本日の成果
• CT-595



yasuda:: 持ち回り
　ということで，ZnTeの成長．結局Znはありました．早とちり．

■研究：本日の成果
• 持ち回り



yasuda:: 浜フォト
　エネルギー弁別処理装置が来るらしい．何の装置だ？

■研究：本日の成果
• 装置？









2003/12/09

yasuda:: I doping
　Znが怪しげなのでZnを使わないI(ヨウ素)ドーピングを行う．
Iドープはグロスレート(成長速度)がやたらに遅い．3時間成長で1.5[μm]なので，0.5[μm/h]．いつものCdZnTe等は2～10[μm/h]くらいあるので，ただでさえ時間がかかる実験がさらに時間が掛かる．
また，1日に1回しかできなくなるのは痛い．

できた試料の移動度測定．久々．ブロメタでエッチングして，アニール炉でIn(インジウム)拡散して，Hall測定を行う．

■研究：本日の成果
• CT-894(I doping)
• Hall測定(CT-894)



yasuda:: γ線検査装置壊れる．
　早速，γ線検査装置に使うWinXpが壊れました．(買ったばっかりなのに～)
原因はいまいち不明．たぶんNTFSとXpとユーザ情報管理の関係かと思われる．
まだ，γ線の検出器をつなぐ前であったのでセーフ！
(γ線計測用ソフトをインストールしたら壊れたという噂もある...) ということで早速再インストール．アクティベーションがこんなに短期間に行われても良いのか不安なところである．


アメリシウム．鉛の板に包まれた放射線源


■研究：本日の成果
• γ線検査装置修理









2003/12/08

yasuda:: CdTe，ZnTe
　とりあえず成長．でもZnが怪しげ

■研究：本日の成果
• CT-892
• CT-893









2003/12/05

yasuda:: Zn原料無いんじゃない？
　Znが怪しげ．あまり膜圧が増えなかった．とりあえず注文．


バルブ



マスフロー


■研究：本日の成果
• Zn交換？









2003/12/04

yasuda:: 半休
　半休とって工場見学．

■研究：本日の成果
• 半休









2003/12/03

yasuda:: 持ち回り
　持ち回りの日．
一人でMOVPE装置をいじると，どれだけ理解できているかがわかる．複数人でやった方が効率が良いところもあるけれど，一人でできるようになりました．

CT-561～CT-580あたりの撮り逃していたモホロジーを撮影．(211)基板とかおもしろい．
久々RINT．超速で計測．6基板計測に立ち上げから立ち下げまで2時間のラップタイム．


(211)Siウェハ


■研究：本日の成果
• CT-582
• CT-583
• CT-584
• CT-585
• RINT(CT-色々)
• モホロジー撮影









2003/12/02

yasuda:: 夜勤
　勢い余って午前3時から成長開始！というか途中で低温バッファ層の成長だったということに気づいて案外めんどくさい工程だった．9:30成長終了．夜やることは，まずあり得ないので「研究してる～」って感じだった(ぉ.
朝日がまぶしい～
３人でやっていたが，体力的にえらい．
案外鏡面．RINTはどうしようか...．

眠い．ねむい．(_ _)(-.-)(~O~)ファ…(~O~)(-.-)ねむいっぽ．


メインディッシュ


■研究：本日の成果
• 夜勤(CT-579)
• 夜勤(CT-580)
• CT-580
• RINT(CT-577)
• RINT(CT-578)
• RINT(CT-579)
• RINT(CT-580)
• RINT(CT-581)
• I-V計測プログラム動作確認









2003/12/01

yasuda:: さて果て12月
　早いものだ．最近の傾向として，M2の方は実験をあまり行わず，M1の方が条件だし．M1，B4は持ち回りで成長，及びRINT．
最適化が進んでおります．

I-Vの測定機器が変わったので，計測プログラムを書く必要があったり無かったり．
とりあえず，先人のプログラムをいじって作る．ゴッタ煮なプログラム完成．約2H．見た目的にはふつうに動く．けど，機器的に使えないよけいな機能満載！

■研究：本日の成果
• CT-578
• I-V計測プログラム作成









2003/11/28

yasuda:: Teの惨劇
　またか．

■研究：本日の成果
• Teの惨劇
• I/Oボードの注文









2003/11/27

yasuda:: Upper温度
　Upper温度が違ってた～．やり直し．成長ノートが間違ってたというか何というか...
プログラムを何となく組む形になりそう．何となく言うのやめてください．ちゃんと言ってください．というか要求仕様全く聞いたこと無いのですが...

■研究：本日の成果
• CT-572
• CT-573



umezaki:: 論文輪講
　眼底の深さ検出を行うものであったが，あまり精度良くないのでは？と疑問に思った．

■研究：本日の成果
• 論文輪講









2003/11/26

yasuda:: 成長
　成長室のPCが復帰した．ビデオドライバー無いです．
久々にエッチングを行った．エッチングは劇物を扱うために危険ではあるが，手順を間違えなければ楽な方である．とりあえずアセトンでボイル．
なんだか，超純粋生暖かい．

■研究：本日の成果
• CT-570
• CT-571
• エッチング(CT-571)









2003/11/25

yasuda:: 成長条件割りだし
　今週から，再び持ち回りで成長を行うことになった．初日から当たった．
成長はCdZnTeで行ったが，CT-568が案外7.5[μm]成長していたりした．CT-569は全面ピット．あまりきれいじゃない．
RINTを行いたいが，他の研究室が先約を入れているため不可能．卒論シーズンに近づくと人気が出ます．

■研究：本日の成果
• 成長条件割りだし
• CT-568
• CT-569









2003/11/24

umezaki:: bochs
　IA-32エミュレータ．Windows2000を導入しようと努力したが，微妙．動かないことは無いだろうけど，ブートディスク居るし...早くVirtualPCの新バージョン出てきてください．

■研究：本日の成果
• bochsテスト









2003/11/23

umezaki:: MacOSXセットアップ
　とりあえず必要そうなアプリをたたき込んだけど，それでもいまいちなMacOSX．
中途半端にBSDの血筋を受け継いでいるので様々なコマンドを使うことができるが，いまいち．というか必要なのに無いものがある．「GUIでやってください」的な勢いだったり，「そこに設定を書き込んでも反映されません．」だったり．
いまいち．

■研究：本日の成果
• MacOSXセットアップ









2003/11/22

umezaki:: リモート
　リモートログイン便利．現在研究室がちがうので，なかなか研究室へ行く機会が少ないが，リモートで何でもできます．

■研究：本日の成果
• リモート









2003/11/21

yasuda:: 怒られた
　U研の論文輪講に行ってたら怒られた．まあ，まだこの研究室だからそうだろうけど，見逃してくだされ～．
成長を行い温度のずれを計算

■研究：本日の成果
• CT-566
• CT-567









2003/11/20

umezaki:: 論文輪講
　先生の逆鱗に触れたらしく，先生来なくなっちゃいました．生徒のみで論文輪講．というか元々の曜日から変更にしてしまったために先生の都合がつかなくなった模様

■研究：本日の成果
• 論文輪講



yasuda:: 基本成長
　さあ，基本成長．以前より温度のずれがあるようだ．もう一度成長条件を一通りやり直す必要性がありそうだ．

■研究：本日の成果
• 基本成長









2003/11/19

yasuda:: 原料交換
　ついに来ました原料DETe．今回はSeの交換ほど臭くは無かったが，渋い香りがした．
お昼時の間に超高速で原料交換！
成長室にあるPCのHDDのFAT32のFAT領域が破損した．ことごとく...

■研究：本日の成果
• 原料交換
• 基本成長









2003/11/18

yasuda:: 再びLAN故障
　またかいな！このままで「MOVPE成長法を用いたLANの修理に関する研究」になってしまう．
この棟の管理者の先生もお手上げ状態になって，MAINS(学内サーバ管理)の人に聞いてくれとのこと．とりあえず調査してもらうことにする．

■研究：本日の成果
• LAN修理









2003/11/17

yasuda:: PLデモ機器(TRIAX-SERIES 320)
　堀○製作所からPLのスペクトル測定器を借りた．
\40,000,000～．案外高いねの．先生「ショボイ」とかいってたけど...と思ったら ¥1,302,000 – ¥3,414,000 だった．レーザ光源は自前で持ってた．レーザ光源そんなに高いのか！？
案の定，動きません．光軸をあわす機材も造らないといけないので大変かも．返却期日の2週間までに使えるかしら？
今日原料来る予定が明後日になるし...ちゃんと発送してください．


工学部品につき素手で触るべからず



分光器


■研究：本日の成果
• TRIAX-SERIES 320設定
• 原料まだ～？









2003/11/14

yasuda:: 微妙な陽気
　PLのデータ整理を手直し

■研究：本日の成果
• PLのデータ整理を手直し









2003/11/13

yasuda:: 掃除
　原料がないため掃除


■研究：本日の成果
• PLのデータ整理
• 掃除



umezaki:: 論文輪講
　U研で論文輪講

■研究：本日の成果
• 論文輪講









2003/11/12

yasuda:: sleep
　何とか午前中に学校に到着したが，誰もいない...

■研究：本日の成果
• 待機









2003/11/11

yasuda:: ピンポイント爆撃
　9:00 計測実験室で空調が機能していないことに気づく．
この実験は，ドライまたは暖房が動作しないと計測できない．昨日は動いていたのに...また延期か！？

yasuda:: PL強行！
　...と思いきや，PL強行！

10:00 液体ヘリウムを汲みに行き，準備完了．
空調がだめだとあきらめていたら，どこからともなく研究室の奥底に眠っていた電気式暖房装置が登場！何とか実験ができそうである．
以前，発光が確認できたCdTeの計測を行い，何となく出ていることがわかった．
12:20 ココ一にカレーを注文．出前なんてあるんだ～．3辛で気合いを入れて実験に望む．
次に，CdZnTeを計測したが，非常に大きく鋭い発光と裾野の広い発光を確認．
裾野の広い発光はDAP(ドナーアクセプタ対発光)で，鋭い発光はexction(束縛励起子発光)である．今回はアンドープで，Znが入った組成比の違う半導体であるので，束縛励起子発光は同一の位置にあり，DAPの位置が変化すると予測される．
23:15 測定データをいったんまとめる．
若干強度が弱いかもしれないので，レーザの強度を上げたい気もするが，DAPの発光は確認できたので良い．
つまり，温度を上げた成長によって成長が良くなった．またZnが含まれているのでバンド幅が広がった．Znの20[％]ものを造っていこう．
00:30 体力の限界に陥り，戦線離脱(Sleep Mode)
気づくと，立ち下げ中^^;．部屋に戻りデータの整理．気づくと，おもむろに帰ろうとしているメンバーがちらほら． 02:30 前回のPL同様，K先輩の車に載せて頂いて帰宅．
気づくと自宅付近に．
03:30 帰宅

朝 朝日がまぶしい

最近体力が落ちているのか，夜遅くまで起きていられない．もう若くないのだろうか･･･


凍ってます



液体窒素汲み替え



青色の発光



朝日がまぶしい


■研究：本日の成果
• PL延期？
• PL強行









2003/11/10

yasuda:: PL準備
　明日はとうとうPLの日．光ると良いなぁ．
よくわからないけど壊れたMOVPE装置制御コンピュータを違うPCに変更して何とか復活．

■研究：本日の成果
• PL準備









2003/11/07

yasuda:: 制御ボード
　MOVPE装置のOSを取り替えるために制御ボードを注文．現在使っているソフトを書き直して最新機種に移行する予定．
いまいち意図がよくわからない．現在までに正常にMOVPE装置を制御していた制御コンピュータを一新したいのだろうか？既存のソフトとハードで十分な性能が出ているのにもかからわず，新しいPCに移行したいらしい．
問題点を挙げると，
1. 無駄な開発工数がかかる．
2. 無駄なデバッグ工数がかかる．
3. 信頼性が低い．
4. 機能の強化は無い．
5. Windows系OSのタイマーを用いた場合精度に難がある可能性がある．
6. これまでに信頼性を得ているものを捨てるのは無駄だ．
7. そもそもOSがメモり使いすぎ．
8. PC及びボードの新規導入が必要．
等々様々．利点としては
1. WindowsによるGUI．DOSグラフィックスからの脱却
2. 最新っぽい
3. VBで書ける
4. 現在のPC98シリーズの生産中止における影響の回避
一番下の理由はわからんでもない．が，PC98シリーズが完全に研究室から消えるのが早いか研究室が消えるのが早いか...(後発のN研に移行することも考えられるか...)それ以外は無意味．
今のところボードの仕様を検討しておいて欲しいということだけなので，正式なソフト開発の要請は来ていない．現在ソフトを組めるのは忙しいM2の方＋αか自分のみ．それか来年の卒研生の仕事になるかも(ぉ．
微妙っちゃあ微妙．

■研究：本日の成果
• 制御ボード検討









2003/11/06

umezaki:: MacOSX
　U研究室にMacOSX G5 Dual PowerPC 2GHzが入る．MacOSX嫌い．というかWINDOWS好き
わざわざ開発を行うのにMacOSXじゃなくていい気がする．
Mac教徒な人は「WindowなんてセキュリティホールありありのだめだめOSだ！」というかもしれないが，結局Macにも脆弱生はあるわけで，ただ，ユーザ数が圧倒的に違うだけであって．たいした差は無いかと．(使い慣れたものを使いたいものだ)

■研究：本日の成果
• MacOSX導入



yasuda:: 制御PC壊れる
　MOVPE装置の制御コンピュータが壊れる．本気で壊れすぎ．最近壊れたものは2桁を超えている．

■研究：本日の成果
• 制御コンピュータ修理









2003/11/05

yasuda:: PL無し
　結局PLできなかった．低温実験室の先生捕まらない...実験は来週っぽいい．
11/17(月)に原料のDETeが届く予定．それまでにはPLを！

■研究：本日の成果
• 自習









2003/11/04

yasuda:: 原料無し
　とりあえず原料がない．イコール成長できない．しかし明日はPLだ．忙しくなりそうだ．
...と思いきや，低温実験室の先生が捕まらないために...中止．
ネットワークアドレスが変更になるネットにつながるようになる．結局情報処理センターの責任か...

■研究：本日の成果
• 自習









2003/10/31

yasuda:: 原料？
　昨日の結果から行くと，場合によっては温度が高すぎたために成長しなかったことも考えられる．ということで温度を下げてCT-558．結果，鏡面．成長無し．本来まだ6割残っている原料のDETeが怪しい．
16:40 原料をDiPTeに交換し成長．DMSeのラインをDiPTeに交換．DMSe多少漏れ．プロパンガスっぽい香り．健康上あまり良さそうではない．
DiPTeの方がDETeより分解しやすいらしい．しかし，成長しやすさからいくと難しいらしい．
CT-560にて成長を確認．やっとなんとかいったわ～


間違えて終電で1駅乗り過ごす．歩いて帰宅


■研究：本日の成果
• CT-559
• CT-560









2003/10/30

yasuda:: 久々エッチング
　かれこれ1ヶ月もの長い間成長装置が壊れていたために，久々のエッチングだ！
今日は3回基本成長を行った．現在問題になっているのが，サセプタのヒータと熱電対が変わったために実際の基板温度がわからない．また成長室が直接酸素等に触れた影響が不明．という点(等々)．結果からいうと3枚とも成長しなかった．温度が悪いと思うのだが...3回目はUpperの温度を350[℃]に上げたら，なんだか焦げ臭い香りがしたので中断．無念
よくわからないけど，温度コントローラがすべてリセットされて初期値がわからなくて苦労した.

■研究：本日の成果
• エッチング(CT-555)
• CT-555
• CT-556
• CT-557









2003/10/29

yasuda:: ベーキング
　 今朝千種までいってしまった．おっとっと．
実験が何とかできそうなので午前中はベーキングをして準備．10時頃からベーキング開始．ヒータの温度とアッパーの温度の差が500[℃]近くもあるので，微妙かも．560[℃]に上げるのに1060[℃]も加熱しないといけない．温度制御装置がそこまで使えません^^;
GaAsウェハを円い形状から矩形基板に切り出し．




PID温度制御装置


■研究：本日の成果
• ベーキング
• 基本成長
• GaAsウェハ切り出し









2003/10/28

yasuda:: サイリスタ交換
　もう交換しか方法がないかもしれない．
LANが一向に直らないので担当教官にかみついてみた．ルータをリセット下らしく一部のPCでは復活したが一部のPCでは接続できなくなった．研究室にあるサーバはhttpdとftpくらいしかたってなので影響は無いと思うが...

■研究：本日の成果
• サイリスタ交換
• LAN修理









2003/10/27

yasuda:: 再テスト
　午前中．MOVPE装置の裏をあけて配線をチェック．電流計の端子が多少ゆるんでいたものを締め直す．
午後，なかなか先生の会議が終わらない．せっかく待っていたが明日行うことにする．
先生もLANに接続できないらしい．LANの状態悪化中

■研究：本日の成果
• LANの状態悪化









2003/10/24

yasuda:: MOVPE始動！
　しど～！高らかに響くかけ声．システムが起動しだす．「電圧正常！電流正常！軸回転角度よし！成長室内圧力正常！ゲートバルブ閉じる！」準備は整った「よし，やってみるか！」(嘘)
16:14 ヒータ起動．同30分停止．電流が安定しない
17:00 先生が来てスリップリングのブラシを掃除することにする．たぶん接触がわるいんや～
17:15 温度制御装置のマニュアルを探す．
17:30 温度制御装置のマニュアルを発見し解読する．読みにくいマニュアル．
18:00 直ったかも．100[℃]までは正常に動作
次回200[℃]まであえてチェックをすることにする．場合によっては温度制御装置を取り替えるかも．


醜悪の根元？


■研究：本日の成果
• MOVPE始動！









2003/10/23

umezaki:: 論文輪講
　午前中授業を受け，昼休みにESL．午後U研究室で論文輪講があり，結局研究室へ行ったのが17:30．遅すぎしかもその後事例研究の授業があったために18:00には研究室を後にする．微妙な感じ．


■研究：本日の成果
• 論文輪講



yasuda:: ヒータの作成
　ヒータを巻いて溶接を行いヒータを作成した．

■研究：本日の成果
• ヒータの作成









2003/10/22

yasuda:: LAN悪化
　LANの調子が良くない．さらに悪化した．この時点で何回も担当の方に申し出ているがいっこうに改善見られず．むしろ切断されるマシンが増えている．
論文書かないといけないのかと予定を考えてみる．ちょうど今成長できないので，書きたいのだが，書くネタがそろっていないのでかけないところがある．

■研究：本日の成果
• LAN悪化









2003/10/21

yasuda:: ヒータ棒切断
　カナノコで棒を切断．ついでにカナノコも折れる．なんとかパイプカッターで切断したが，焦げた様子は無くヒータ部にもヒータらしい抵抗値があったので無事っぽい．いったいどこが破損していたのか不明．明日，1から作り直しをすることに決定

■研究：本日の成果
• ヒータ棒切断
• LAN直らない









2003/10/20

yasuda:: テスト起動
　ラインを接続し，電源を入れる．200[度]になる段階でフレーカーが飛ぶ．どうやら内部でショートしているようである．ヒータっぽいので明日，棒を切断して調査することにする．
ついでにLAN壊れる．

■研究：本日の成果
• テスト起動
• LAN修理









2003/10/17

yasuda:: つっこむ
　MOVPE装置の棒をつっこむ．成長室内を専用掃除機で掃除． そのCdTe専用掃除機が微妙に調子が悪く分解修理．CdTe排出機構を備えた掃除機が完成した．かなりやばい．もっとも触れてはいけない逆鱗に触りっぱなし．CdTe汚染注意
21:00 頃，リークチェックを行い，何とか直った．と思う


リークディテクタ


■研究：本日の成果
• CdTe専用掃除機修理
• MOVPE装置修理









2003/10/16

yasuda:: MO(モリブデン)
　は関係なくて，リークチェックを行う．あんまり良くない． 今日も直らず

■研究：本日の成果
• MOVPE装置修理









2003/10/15

yasuda:: 先生出張
　なので，やれることが無い．共用PCが不安定であったのでWindows2000をインストールし直す．データのバックアップをし，実行．うっかりLANに接続したまま行ってしまったので危なかったが，辛うじてBlastやWelchaの感染は真逃れた．危ない危ない．

■研究：本日の成果
• データバックアップ
• Windows2000再インストール









2003/10/14

yasuda:: 今日私...献血しよう！
　LAN壊れる．一部のPCでネットにつながらない症状が発生．様々調べるが，現在のLANに問題はなさそう．建物のルータを管理している先生に調査を依頼．即解決．よくわからん．
ヒータの棒が太すぎたために，Oリングが通らない．ということで，工作センターに持っていき旋盤で削ってもらう．取り付ける．なんだかTeの風を感じた．


旋盤で切削加工


■研究：本日の成果
• LAN修理
• 棒調整









2003/10/10

umezaki:: 産官学
　「特許流通フェア中部2003が吹き上げホールで行われているので，行って感想を書く」が授業の内容．テキトウな...ということで早速徒歩で吹き上げホールへ．
うちの学校も参加しているので色々聞いてきた．結構注目なのが，「電力線通信@中電」．だいぶ前からあるが，規制緩和が進まないらしい，10～100[MBps]出せるらしいので早くおうちでやりたい．ついでに家庭用光通信も行っており，早くうちまでのばしてください．
工業系を除くと，環境や医療に関するものが目立った．需要はだいぶありそう．ゴムの再資源化や発泡スチロールの再資源化など
名古屋電気工業(半導体マウント検査機)とか未来工業(フレーム？)とか．
そのほか「トレンド卵」に出そうな楕円形のチルト傘や，喫煙抑制指輪など．
最新技術を垣間見た．


■研究：本日の成果
• 特許流通フェア中部2003



yasuda:: 最終溶接
　研究室に戻り最後の溶接．来週は直るかなぁ？


まぶしい


■研究：本日の成果
• 最終溶接









2003/10/09

yasuda:: 溶接
　主に昨日の続き．TIG溶接．タングステン電極でイナートガスにアルゴンを用いたアーク溶接．昔やった．半自動送りでできたので結構楽だった気がする．今回は特に溶接棒等は用いずに溶接を行う．


よく融けてます


■研究：本日の成果
• 溶接









2003/10/08

yasuda:: ヒータ作成
　MOのヒータ用熱電対が壊れたために，MOの熱電対とヒータを作成．高熱部なので，絶縁用の細かい石英管を用意．ダイヤモンドワイヤソーでカット．久しぶりにワイヤソーに触れる．ワナワナ．
最近よくものが壊れる．壊れたものは，ガラスの蒸着装置，金属の蒸着装置，MOVPEの熱電対及びヒータ，PLの部屋のエアコン，PLの冷却装置，PLのスライダック，PLの分光器，PLのグリスの付着したガラスフィルタ．ついでにWelchaに感染．ヤダヤダ．
ということで，次は分光器の修理．分光器の蓋を開けて，中のゆるんだねじを締めることで調整ができる．装置内を掃除機かけてたけど良いのかとという疑問はあるが，今のところ直った．後はエアコンが直ったら実験できる．来週あたりになりそう．
ヒータを溶接する．とりあえずヒータ線の作成．


溶接用面



タングステンイナートガスアークウェルディング


■研究：本日の成果
• ヒータの作成
• ヒータの溶接
• 分光器の修理









2003/10/07

yasuda:: PL
　今日は待ちに待ったPL測定の実験．
朝9時から液体Heを汲みに行く．単純にLiHeを汲むとクライオスタットが壊れてしまったり，Heの気化する効率が悪いのでクライオスタットの外側に液体窒素を満たした上で，内側のデュワーにLiHeを入れる形になる．



液体窒素汲む
技官の先生に頼んで一緒に入れてもらうことになる．Heはほとんど空気に触れることはない．

今日の波長は4919[Å]，スリット零点225．PLとはPhotoluminescenceの略称で，材料に光を当てた結果，材料の情報を持った光が放出される現象(螢光:luminescence)．半導体にバンドギャップ以上のフォトンを入射し，非平衡状態の電子・正孔対がフォノンを放出しながら，波数ベクトルK=0まで緩和し，エネルギーギャップ中に存在する欠陥や不純物による種々の再結合中心を介して再結合を行い...云々．
早い話が，半導体を7[K]位に冷却して，レーザ光を当てて，そこから発光する光を計測する．
12:00 計測データにあまりにノイズがのるために，光電子増倍管を分解し乾燥を行った．光電子増倍管に水蒸気が付着するとノイズがのりやすくなる．それ自体は計測時に窒素雰囲気にしているので水蒸気がつきにくいはずだが，エアコンが壊れているために宇ちょっと不安である．
13:00 U研の論文輪講
17:00 PLの論文を読みながら実験
19:30 本研究室のアルゴンガスレーザは波長の変化を行うことができる．黄緑色だった波長をエメラルドグリーンに変更して計測．(200[mW])



レーザ光(緑)4880[Å]



レーザ光(青)5145[Å]



クライオスタットにレーザを当てる様子
21:00 夕食．古味い亭．C亭．完食なる．
22:00 ショート．レーザ冷却器電源ダウン．よろしくない．他の機器のショートによってレーザの冷却器の電源ラインが落ちてしまった．幸いにもレーザ装置は壊れることは無かったが，機器への負担が大きい．
フィルタの交換等
23:00 CdTeのピークすら観測できないため実験中断．立ち下げ．残念な結果に終わってしまった．又今度エアコンが直ったときに再計測行わなければならない．
00:00 帰路につく．K先輩に送ってもらう．ありがたい，



クライオスタットを暖めて低温物質を気化．立ち下げ



He回収バルーン．ちょっと逃げちゃいました



■研究：本日の成果
• PL



yasuda:: 論文輪講
　13:00 U研の論文輪講


■研究：本日の成果
• 論文輪講









2003/10/06

yasuda:: 冷却装置？
　アルゴンガスレーザ用電源装置の冷却装置から少量の水が漏れていたために，冷却用の水の純化装置を取り替える．こんなものまで壊れるとは...
昨晩，異常な症状が発生し，今朝方病院へ．注射を2本打ってもらう．病院では9割以上がおじいちゃんおばあちゃん．症状が早く改善しますように...
明日はPLの測定を強行する．これまでアルゴンガスレーザの波長を青→緑に変更した．CdTeのPL計測には緑色でいいようである．しかし，バンドギャップの広いZnTeのPL測定には紫色にレーザ光を用いる模様．計測途中でレーザの波長を調整しつつの計測になりそう．

■研究：本日の成果
• 病院
• 冷却装置の水純化装置交換
• PL準備









2003/10/03

yasuda:: エアコン？
　未だにエアコンが壊れている．と思ったら，PLの部屋以外もエアコンも壊れる．^^;業者は何をやっているのやら...
来週中には部品が発注でき修理ができるらしいが，困ったものである．
あまりのばせないので来週10/7(火)に強行PL実験を行うことになる．
ノイズがのりませんように．

X線検査バッチ交換されたー紫？
C-V測定の部屋の模様替えを行う．きれいさっぱり．肝心のX線装置がいつ納品されるのやら...

■研究：本日の成果
• X線検査ガラスバッチ交換
• 学生実験マニュアル(ActiveXコントロールガイド)
• 学生実験マニュアル(VBマニュアル)
• 模様替え
• 研究室のサイトの更新









2003/10/02

yasuda:: 準備OK？
　朝9時からのPLの計測実験．はじめに着ていたのがKさんで，2番に目出勤．U先輩が着て，さあ準備にかかることにした．が，しかし．クーラーがドライに設定できないという症状が機能から続いていたために，光電子増倍管が乾燥できておらず，このまま実験を行うとノイズばかりのデータがとれて結局後日実験しなくてはならなくなるため，今回は実験を断念．結構気合い入れて学校に着たのに残念
　代わりにMOVPE装置が壊れていた温度制御装置を直すことになる．先生が軸を取り出し，軸ごと取り替えることになる．今回は軸の長さを測っただけで，軸自体は工作センターに注文して造ってもらうことにする．(結構旋盤回したくてワナワナしてた．昔を思い出す)
　学生実験のサンプルをExcel版を造ってみた．プログラムの行数的にはVBの1/3程度で極めて簡単だった．実際VBA(？)で造ったのはこれがはじめてだが，ActiveXコントロールが使えるのでやけに簡単．実験はグラフ表示できるし，データ整理簡単だしExcelで行った方が楽かも．(VBという言語自体の知識があるかどうかが問題かも)
今日実験中止だから飲み会復活！？

■研究：本日の成果
• PL中止
• MOVPE装置修理
• Excelサンプル作成









2003/10/01

yasuda:: クライオスタット(Cryostat)
　明日はPLだ！24時間かかるともしれない驚異の実験！とりあえず今日は前準備．
クライオスタットを掃除．取り外してメタノールで拭く．ガラス製品なので割らないように注意が必要！今回で立ち会ったのは2回目になる．

一方自動計測ソフトの方は，とりあえず造ってみた．すぐにできたが，学生実験で行うには生徒がVBを知っていなくてはならないのでいかがなものか...．実際，手順書を書いて学生に行わす形になりそうだが，全手順を書いてしまっては結局だめだし困ったものである．ついでに助手さんもVB知らないし．


クライオスタット上面図



イオンレーザー


■研究：本日の成果
• PL前準備
• VBサンプル作成









2003/09/30

umezaki:: U研論文輪講
　来年の院の研究室で輪講を行うことになる．選んだ論文も良くなかったせいもあり，ぼろぼろに砕かれた．これくらいの歯ごたえはほしい．
助手の方が後期から行う学生実験の実験材料を造るので手伝うことになる．VBでGP-IBを使って自動計測ソフトを作るというもの．とりあえず，WinXpのライセンスとりましょう．単純にインターネットに繋げなかったらしい


■研究：本日の成果
• U研論文輪講



yasuda:: PL決定
　明後日PLを行うことに決定！自動的に飲み会消滅！

■研究：本日の成果
• PL決定









2003/09/29

yasuda:: 修理
　先生がアメリカから帰国したので，修理をしてもらうことになったが，足(腰？)が痛いらしい．針治療中．
ということで直せません．今週お休み？

■研究：本日の成果
• MO装置修理(不能)









2003/09/26

yasuda:: ゆうかい
　朝っぱらから誘拐予告示唆がありました．こっちは北海道の地震で忙しいのに･･･．とりあえず通報．事情聴取されたり．しかも今日は持ち回りの日なのでとっとと学校へ向かう．
1日中ビクビクしながらの実験．なんだかよくわからないけど，温度制御装置が壊れる．CT-554成長中なのに...
午前は何とか成長終わったが，午後の成長が行えなくなった．RINTの結果は芳しくない．辛うじて金曜日だったのでいいのかしら？

■研究：本日の成果
• CT-554









2003/09/25

yasuda:: 氷
　恒温層が凍っていた．本来エタノールが入っているので-10[℃]程度では凍らないはずだが，なぜか凍っていた．いったんエタノールを抜いて再度エタノールを入れ，しばし(2時間くらい)待ってからの実験．時間的にCT-553しかできなかった．
成長結果，表面は曇っており，モホロジーは全面ピット一部ヒロック．RINTの結果が5つのピークが出た．もっといい条件を探さなくては...
明日は持ち回りの日なので，朝からの実験

■研究：本日の成果
• CT-553
• RINT(CT-553)









2003/09/24

yasuda:: あけて
　2日後，また部屋の気圧が変わった？扉が閉まりにくい．それとも，気圧が変化したのだろうか？(今日雨だし)
RINTの結果今日の成長では結構いいものが得られた．ピークは前回のように分離せず，3つになった．しかし，現在恒温層の温度がそれほど下げられないために，成長させることができないという状況に立たされている．このピークが複数ある現象はよくわからないが，常に5本あるのではないとか考えている．ものによって，それが分離されて見えたり，重なって見えなくなったりするのではないだろうか？

■研究：本日の成果
• PCのCD-ROMの認識の依頼
• CT-551
• CT-552









2003/09/22

yasuda:: 圧力
　最近実験室内の気圧が変だ．先週は圧力が低くかったために，室内へ流入する風のせいで扉の閉まりがが悪かった．今週は気圧が調整されたかどうかで，室内の気圧が高い．扉を開けるとき重たい．ついでに静電気も発生しつつあり．
CT-550のエッチングを行う．成長後，モホロジー鏡面，膜厚2.5[um]，多少ヒロックがある．なんか変だ．RINTによる組成比を出そうとしたがピークが5つも出た．何じゃこりゃ．混ざってる？
巴ちゃんがきた．水素ボンベ交換してった．
明日は秋分の日．変な1週間

■研究：本日の成果
• CT-550エッチング
• CT-549
• CT-550
• RINT(CT-549,CT-550)
• CT-552成長ノート作成
• 水素ボンベ交換









2003/09/19

yasuda:: なんか変だ
　CT-545のグロースレートが7.5[um/h]であったので，確認を含めて再度CT-547で同様の成長を行う．結果，グロースレートは3.0[um/h]に変化し，ほとんどZnTeだったものがほとんどCdTeに変化．なじぇなんだろ～？自分でエッチングしただけになんだか責任を感じる．理由はわからないけど...

■研究：本日の成果
• CT-547
• CT-548
• RINT(CT-547,CT-548)









2003/09/18

yasuda:: ひとりでできるもん(嘘)
　持ち回りが自分にやってきた．朝，誰も居ない．正直一人では無理．エッチングやMOVPEの起動は一人でできるが，並行して行った方が効率がよく，受け渡し(MOVPE装置への基板の設定)のさいにはより空気に触れる時間を短縮するために，二人で行った方が良い．もう一人が来るまで待ち．(もとより二人)
9:30開始のエッチングを行い，その間同時にMO起動しておいてもらう．エッチング完了し受け渡しを行う．見事な連係プレイで受け渡しも順調に成功．とその段階で，相方は授業(テスト)があるためひとりぼっちに...
いかに自分が成長行程を覚えているかがかに気なってきた．まずは，サセプタの受け渡しである．これが結構重要でしかも難しい，ただでさえ小さなガラス窓から装置の中をのぞかなくてはいけない上に，窓の内側が曇っている．何とかサセプタの受け渡しを終え，ゲートバルブを閉め，回転軸を上昇，温度プログラムの起動を行う．ここで，温度が上昇するのを待ち(20分)，次に成長プログラムとの同期である．H2アニールを行う段階で成長プログラムと温度プログラムの同期をとるために，温度プログラムにHOLDをかけ，ADVで次のステップへ送る．アニール後次に原料のTeを流す，そしてCd，Zn，Teを流し成長を待つ．
一息つき立ち下げである．今回成長したものはモホロジーはきれいであるが全面ピット少量のヒロックが観られた．膜圧はこれまでで最高になった．（が，これが度にも怪しいことに気づく）

■研究：本日の成果
• CT-545
• CT-546
• RINT(CT-545,CT-546)









2003/09/17

yasuda:: 持ち回り
　だいたいのメンバーが成長させることができるので，持ち回りで成長を行うことになった．多人数で行う作業でも無いので効率化されて負荷が軽減された．
その間11:15からサセプタのベークを行った．

■研究：本日の成果
• CT-543
• CT-544
• RINT(CT-543,CT-544)









2003/09/16

yasuda:: RINT予約
　午後は成長したもののRINT計測を行った．15:00より予約を入れておいたが，どこかの研究室が計測を行っていた．計測者が居なかったために，計測者が来るまで30分ほど待たされ，「15分後に終わる」とのことであったので20分後に再度行くと未だに計測中であり，後30分はかかるとのこと．まったく困ったものである．結局17:00から計測を行い，だいぶ遅くなってしまった．

■研究：本日の成果
• CT-541
• CT-542
• RINT(CT-541,CT-542)









2003/09/12

yasuda:: GaAsエッチング
　久々にGaAsエッチングを行った．多くはマニュアルに従えばいいが，素手で触れてはいけないものがあるので確認しながらの作業である．
CT-539はダストが多かった．

■研究：本日の成果
• CT-539
• CT-540
• RINT(CT-539,CT-540)









2003/09/11

yasuda:: 英語
　今週はテスト週間みたいな感じなのでちょっといやな感じである．英語の翻訳等を行う．

■研究：本日の成果
• CT-338









2003/09/10

yasuda:: 成長
　午前の英語に続き，成長．
現在の目標は成長した結晶が，CdTeが8割,ZnTeが2割になるような成長条件を探すことである．そのうち変数となりうるのは，VI族とII族の比(VI/II比)と成長時のUpperの温度，サセプタの温度である．この値をいくつかに振って成長させ，目標の成長条件を探す．実際に過去に行われた結果では，Znの割合を縦に，DMZn/(DMCd+DMZn)の値を横軸にとった場合，指数関数的な上昇になってしまっていた．それをよりライナーになるような成長条件を探す必要があるために実験回数が必然的に増えることになる．

■研究：本日の成果
• CT-537









2003/09/09

yasuda:: RINT
　最近の成長はデータ取りが多い．目標の成長を得るために，パラメータを1つずつ変化させ，目標の素材に近づける．

■研究：本日の成果
• CT-536
• RINT(CT-535,CT-536)









2003/09/08

yasuda:: 2結晶
　2結晶性の測定を行う．以前より角度が広がっているために計測に時間がかかるようになった．

■研究：本日の成果
• CT-535
• 2結晶









2003/09/05

yasuda:: RINT
　久々のRINT．放射線計測バッチをもらってから初の計測となる．まあまあな値は出たが，2結晶性の測定との時の測定値と微妙に違う模様．原因追及中．

■研究：本日の成果
• RINT









2003/09/04

yasuda:: DETe
　午前中にサイトの更新を考える．
午後，成長を行う．12:30に原料を開ける，13:30まで成長待ち．13:30に確認．13:35停止させ換気．原因追及．

■研究：本日の成果
• DETe









2003/09/03

yasuda:: MFC交換
　午前中の英語に続き，午後はMFC(Mass Flow Controller)の交換を行う．DETeのコントローラを変更，赤色から青色のMFCに変更された．電源をすべて落とし，配線の付け替えを行った．DETeのラインがなんだか怪しいらしいがとりあえずリークチェックを行う．
その後の成長は目的どおり行われた模様．

■研究：本日の成果
• MFC交換









2003/09/02

yasuda:: 英語
　成長は行わず英語の翻訳．自習

■研究：本日の成果
• 英語









2003/09/01

yasuda:: 復帰
　受験も終わり研究に復帰することになる．ブランクのために成長の行程を少しずつ思い出す．まだ，一人では不安．午後は英語の翻訳．

■研究：本日の成果
• BSDの再起動
• Windows2000のBlasterパッチ処理
• Mirandaのインストール









2003/06/09

yasuda:: 受験
　受験勉強に取りかかることになる．

■研究：本日の成果
• 受験勉強









2003/06/05

yasuda:: ガードリングI-V測定
　まあまあな感じ

■研究：本日の成果
• ガードリングI-V測定









2003/06/04

yasuda:: ゼミ
　発表は大変だった．知らない用語が多すぎる．しかも英語．







2003/06/03

yasuda:: ガードリングデバイス作成
　デバイスの作成はメサ型より楽である．半日で完成する．

■研究：本日の成果
• ガードリングデバイス作成









2003/06/02

yasuda:: CT-474
　ZnS/Si上の成長．ダストが多いが，単結晶層が見える．ポリ状態の表面からのアニール後の成長であったために成功して大喜びであった.

■研究：本日の成果
• CT-474



yasuda:: 巴ちゃん
　水素の交換にきた．

■研究：本日の成果
• 水素ボンベ交換









2003/05/30

yasuda:: 放射線被爆量計測バッヂ
　放射線被爆量計測バッヂをもらう．結構時間がかかった気がする．1つ足りないけど...

■研究：本日の成果
• 放射線被爆量計測バッヂ



yasuda:: ガードリング
　ガードing かとおもいきや顕微鏡写真を見ると輪っかが．ガード・リング(Ring)のようである．そういえば，計測工学でおっさんが行ってた気がした．ガードリングを着けることによって外側に流れ出す電流をなくすことができるので，簡単に計測が行えるようになるとのこと．確かにこれだけで，デバイスの劈開を行わなくて良くなるわけだし，ゴミによる計測誤差等の影響も軽減されると考えられる．







2003/05/13

yasuda:: 科研費
　科研費1200万円が通ったらしい．またSi(211)ウェハが格安で50枚くらい購入できたらしい．新しい装置を導入するらしい．サセプタのヒータを新しくしてほしい．ついでに新しいPCもほしいところ．

■研究：本日の成果
• 科研費









2003/05/12

yasuda:: 5原子層Te/Si(111)
　Si上にTeが5原子分の層ができた基板を中部大の研究室に作ってもらった．その基板上にMOVPE成長で結晶成長を行う．これによりSi上にバッファ層ではなく直接Teがついているため，高効率の単結晶の結晶成長が期待される．成長温度450[℃]，1時間，1枚サセプタを使用．
成長の結果はあまり思わしくないものであった，

■研究：本日の成果
• MOVPE成長，5原子層Te/Si(111)









2003/05/09

yasuda:: 単結晶
　RINTの結果より，ZnSを用いた場合いい感じに単結晶になっていることがわかった．その試料の半値幅を計測することになった．しかし，計器の調子か，試料の調子かは不明であるが，うまくピークと探すことができない．

■研究：本日の成果
• X線二結晶性測定



yasuda:: 1枚サセプタ
　これまでのサセプタは3枚同時に成長が行えるサセプタであった．今回使用したサセプタは1枚で大面積の基板上に成長させることができる．どちらも一長一短だと思うが，1枚サセプタは結晶状態が良好になることがRINT結果によってわかった．今後の成長に期待．

■研究：本日の成果
• 1枚サセプタの効果









2003/05/08

yasuda:: 測定
　C-V測定とI-V測定を行った．C-V特性が良かったのもあるが，悪いものもあった．チップの形状に問題があるのではないかと思われる．I-V測定もまあまあだった．

■研究：本日の成果
• C-V測定
• I-V測定









2003/05/07

yasuda:: X線傷害予防に関する講習
　4時間くらいかかった．被爆はしたくないものだ．

■研究：本日の成果
• X線傷害予防に関する講習









2003/05/06

yasuda:: デバイス作成
　デバイス作成の途中まで行った．

■研究：本日の成果
• デバイス作成









2003/05/01

yasuda:: MOVPE成長
　4時間成長

■研究：本日の成果
• CT-451









2003/04/30

yasuda:: 食中毒
　開けてみると，大半が食中毒．おなか痛い．







2003/04/28

yasuda:: 連休
　連休の続きであまり人が集まらない．といっても飛び石連休なので，連休といえない^^;

■研究：本日の成果
• 自習









2003/04/25

yasuda:: 液体窒素講習
　液体窒素を扱うのに必要な講習．要点としては
1. 冷たいので低温やけど等の危険性
2. 閉じこめると爆発する
3. 汲みかた
4. 高酸素濃度になるので注意
こんな感じ．爆発実験や発火実験はおもしろかった．次はX線講習かな？(早く被爆測定バッチがほしい)

■研究：本日の成果
• 液体窒素講習









2003/04/24

yasuda:: 成長(CT-435)
　昨日の失敗後の4時間成長の結果，うまく成長した．何とかなったらしい．助かった．
膜厚 38[μm]．よく成長した．
X線二結晶性測定はピーク16000[cps],半値幅87[Var]．2時間成長より結晶性が悪いように思われた．
Hall測定を行い抵抗率を測定．約0.6[MΩ]．まずまずであった．

■研究：本日の成果
• 成長結果測定(CT-442)
• X線二結晶性測定(CT-442)
• 抵抗率の測定(CT-442)



yasuda:: 新歓
　やっと新歓．







2003/04/23

yasuda:: 操作ミス
　成長室を常圧に戻すとき，間違えて弁をひねる．6時間程度のベークが必要となる．間違えたことは悲しいが，次回は間違えを起こさないよう細心の注意を払いたい．原理を理解した上で，操作方法を学んでいきたい．
16:30から4時間成長を開始．6時間程度かかるので23時程度終了予定．(極めて痛い)

■研究：本日の成果
• 操作ミス









2003/04/22

yasuda:: MOVPE装置のベーキング
　本来ベーキングは毎回行った方が良いが，4時間かかるために常時やるわけではなく，成長実験がない場合，できない場合に行う．通常は30分程度のベーキングを行っている．
1. 成長室のパージを行う
2. UPPER 300[℃]，SUSEPTER 750[℃]，に設定する
3. 4時間のプログラムを設定しベーキングを行う


■研究：本日の成果
• MOVPE装置のベーキング



yasuda:: RINT測定
　RINTの測定を極微構造デバイス研究センターに測りにいった．鍵がかかっていたために断念．

■研究：本日の成果
• RINT測定









2003/04/21

yasuda:: MOVPE成長(CT-438)
　2時間成長を行った．
1. ZnTe 5分
2. CdTe 30分
3. H₂ 5分
4. 上記の2つの行程を4回繰り返す


■研究：本日の成果
• MOVPE成長(CT-438)



yasuda:: X線二結晶性測定(CT-438)
　ピーク18000[cps],半値幅65.5[Var]．前回の実験と大体同様の値．悪くはない．次の4時間成長に期待したい．

■研究：本日の成果
• X線二結晶性測定(CT-438)









2003/04/18

yasuda:: サセプタ交換
　前日までにベースし終わったサセプタの交換を行った．
1. ベーク路のLiN₂の栓をとる
2. 両端の蓋を取る
3. 手袋でサセプタを取り出す
4. 袋にサセプタを入れる．このときCdTeに注意する．


■研究：本日の成果
• サセプタ交換
• MOVPE成長



yasuda:: エッチング液の作成
　エッチング液のエッチング能力が疑わしいので，再度作成することになった．このとき，原液とエッチング液の容器は素手で扱う．それ以外はビニル手袋を着用．化学的反応が行われるので，容器があつくなるので注意．CPUよりは遙かに熱かった．容器に蓋をする理由として，過酸化水素水が酸素中に放出されるのを防ぐ意味合いがある．
1. メスシリンダーを用意する
2. 後で使う冷却用のビーカー(大)に水を流す
3. 硫酸をメスシリンダーで測ってエッチング液容器に入れる．(100[ml])
4. 過酸化水素水をメスシリンダーで測ってエッチング液容器に入れる．(20[ml])
5. 純粋をメスシリンダーで測ってエッチング液容器に入れる．(20[ml])
6. 少し冷えるのを待つ．このとき容器は非常に高温であるので注意
7. 容器に蓋をして水を流したビーカーに入れ冷やす
8. 約1日冷却を行い馴染ませる．このとき反応が急速に起こってしまうので，容器を攪拌しない．


■研究：本日の成果
• エッチング液の作成



yasuda:: Hall測定
　Hall測定のおよその行程を示す．今回ワイヤーボンディングに2時間ほどかかってしまった．高価な貴金属Inを大量消費してしまった．さらに，測定が失敗した．胃に穴があきそうだった．(笑
1. 成長した基板を全辺劈開する
2. Hall用のエッチングを行う(ブロメタ，エタノール)
3. 電極をつける(爪楊枝でAuCl₃をつける)
4. ワイヤーボンディングを行う


■研究：本日の成果
• Hall測定









2003/04/17

yasuda:: 水素ボンベの付け替え
　水素ボンベの1次圧が下がってきた．つまり，水素ボンベが使い終わったので，付け替えを行うことになった．水素ボンベは4本あり，基本的に常時1本を使う．残りの3本は満タンである．並んでいるボンベに向かってローテーションをして使っていく．付け替え方を示す．
1. 満タンのボンベのキャップをとる
2. パッキンを挿み，ボンベの口にパイプを取り付ける(手で)．(このときH₂ボンベは左回しである)
3. モンキーレンチとスパナを用いて強くしめる
4. 圧力調整弁を回し閉じる(緩くする)
5. ボンベの元栓を開け，閉める
6. 排気バルブを開きパージする．(これを2回行う)
7. 圧力調整バルブを回し，2次圧を上げる
8. 空，満両方のボンベに1次圧と日付をマジックでビニールテープに書き貼るく
9. 出力バルブを同時に開閉を行い，切り替える
10. 空ボンベの元栓を閉じる
11. 空ボンベのラインの排気を行っておく
12. 空，満マグネットを付け替えておく
13. この後，数時間後に1次圧，2次圧を確認する


■研究：本日の成果
• 水素ボンベの付け替え









2003/04/16

yasuda:: サーバ構築
　まだかいな．みたいな感じである．できないと思っていたらClassBに所属してた，ClassAに変更申請提出．数時間後つながりました．終わり．

現時点Windows2000とFreeBSDで同じような構成のマシンができてます．面倒だった．どちらにしろPC98はもう...

	Windows2000	FreeBSD
バージョン	SP3	2.2.7
HTTPD	AN HTTPD	httpd
FTPD	WAR FTPD	ftpd
ユーザ	yasuda	yasuda
ディレクトリ	/home /cgi-bin	/home /cgi-bin



■研究：本日の成果
• サーバ構築









2003/04/15

yasuda:: サーバ構築
　win2kでサーバをたてることに変更．もうPC-98シリーズはこりごりです．

■研究：本日の成果
• サーバ構築









2003/04/14

yasuda:: MOVPE装置立ち上げ
　だいぶ忘れているところがある．しかし，指導を受けながら1からすべて立ち上げた．

■研究：本日の成果
• MOVPE装置立ち上げ









2003/04/13

yasuda:: 劈開練習
　劈開の練習を行った．1[mm]以下の劈開を行うのは難しい．スクライバーが正しく目標の位置に傷を付けるのが難しい．また，劈開を行う際も粉々に砕けたりと四苦八苦．何とか細く劈開を行うことができた．
最後に「細くよりも劈開面がきれいに」ということを聞いて，よく考えればそうであることに気づく．

■研究：本日の成果
• 劈開練習









2003/04/11

yasuda:: 原料交換
　Cdの原料が切れたため，交換を行った．

■研究：本日の成果
• 原料交換









2003/04/09

yasuda:: Hall測定
　ホール効果を用いて抵抗率の測定を行った．ホール効果を用いることによってHall移動度等がわかるが実際には内部で用いているだけで，その値を発表することはないらしい．
1. 真空保存管中に空気を入れる(リークバルブを開く)
2. 真空保存間(外側)をはずす
3. 真空保存間(内側)をはずす．(手袋着用)
4. 冷却用水を流す
5. すべての計器，制御機器の電源を入れる
6. 試料台にシリコングリスを塗る
7. ワイヤーボンディングを行う
8. 試料台に載せる
9. 自動計測プログラムを走らせ測定を行う
10. 測定結果を保存する


■研究：本日の成果
• Hall測定









2003/04/05

yasuda:: サーバ
　サーバ構築を行う．PC-9821 V12にFreeBSD 2.2.7という構成．以降4/15まで悩む．かなりの労力になりそうと確信したためにWindows2000を用いたサーバを構築することに方針変更．

■研究：本日の成果
• サーバ









2003/04/04

yasuda:: 温度調整装置を制作(3)
　温度調整装置の配線．

■研究：本日の成果
• 温度調整装置を制作(3)









2003/04/03

yasuda:: 温度調整装置を制作(2)
　昨日に続いて温度調整装置を制作．アングル等の組み立て．ロボ研時代のようである．しかし，5人もいたのに効率があがらなかった．まあ仕方ないと思いつつ．半日がけで組み立てた．

■研究：本日の成果
• 温度調整装置を制作(2)









2003/04/02

yasuda:: フッ化水素でエッチング
　毒物であるフッ化水素でSi基板のエッチングを行った．Siは酸化しやすいので注意が必要．
1. アセトンでボイル
2. 純粋でリンス3分
3. エッチング液を作る
4. エッチング2分
5. 純粋でリンス3分
6. ゴム手袋と前掛けに変える
7. フッ酸で洗う
8. 純粋でリンス3分
終わった後，やたらと手が荒れた気がするのが不安である．エッチングが終わったものをCdTe吸着へ

■研究：本日の成果
• フッ化水素でエッチング



yasuda:: (111)SiにCdTe吸着
　900[℃]で30分CdTe吸着．(111)Siの結晶方向に沿って，正三角形成長が観られた．


CdTe吸着後のSi基板表面モホロジー×100


■研究：本日の成果
• (111)SiにCdTe吸着



yasuda:: 温度調整装置を制作
　CdTeを吸着する際に900[℃]程度まで上昇させる装置は，位置によって温度差があるために，これを一定にするための制御装置を作った．これまではON/OFF制御の単純なものを使っていたが，サイリスタに変更．制御装置は過去の資産で何とかなる．温度計である熱電対の材料が不足していたために後日に再調整が必要．木下研究室で炉を作っていた時にはかなり苦労した記憶があるが，装置自体は非常に単純な筒を横に倒したような形状のものである．高温の部分が大きい空間になると難しいのではないのかと思う．

■研究：本日の成果
• 温度調整装置を制作









2003/04/01

yasuda:: エッチング方法の変更
　CdTe/Siエッチング方法の一部変更．これにより空気中にさらされるときの酸化膜を管理．以下の方法でエッチングを行った．
1. 2%のFHに浸す(現在と同じ)
2. H₂O:HCl:H₂O₂=5:1:1 90[℃]で加熱？分→12[Å]くらいの酸化膜付着


■研究：本日の成果
• エッチング方法の変更



yasuda:: CdTe吸着位置の変更
　前処理としてのCdTe吸着処理において，吸着位置を変更．これまでCdTeから20[cm]の位置に置いたが，これからはすぐ隣(数[cm])の位置に変更して吸着を行う．吸着は1000[℃]で30分間行った．

■研究：本日の成果
• CdTe吸着位置の変更



yasuda:: ダイオードの光応答
　光を当てながらI-V特性の測定を行う必要があるらしい．

■研究：本日の成果
• ダイオードの光応答



yasuda:: PLのFEピーク測定
　依頼して計測してもらう．(5[mm]×5[mm])

■研究：本日の成果
• PLのFEピーク測定



yasuda:: MOVPE成長
　細胞状態だった．

■研究：本日の成果
• MOVPE成長



yasuda:: (100)SiにCdTe吸着
　900[℃]で30分CdTe吸着．(100)Siの結晶方向に沿って，90[度]方向に成長が観られた．


CdTe吸着後のSi基板表面モホロジー(1)×100



CdTe吸着後のSi基板表面モホロジー(2)×100


■研究：本日の成果
• MOVPE成長









2003/03/26

yasuda:: 掃除
　成長基板の整理．実験室の掃除を行う．ゴミ捨てを行う．ゴミにはあまりさわりたくない．それは可燃ゴミでしょうか？不燃ゴミでしょうか？それとも...．最近，指先に変な豆のような，革ムケのようなタダレに似たようなものができている．純粋に怖い．

■研究：本日の成果
• 掃除









2003/03/24

yasuda:: 自習
　CdTe結晶の研究報告書を読む．物理系サイトを見る．X線被爆測定登録．

■研究：本日の成果
• 研究報告書読解









2003/03/20

yasuda:: SiにCdTe吸着(酸化膜除去，アニールなし)，MOVPE成長[408]
　SiにCdTeを吸着．この際，酸化膜除去とアニールは行わなかった．結果，ゴミのような大きな粒状の結晶がSi表面上に降り積もった．一部，あまり積もっていないところをNOM顕微鏡で観察するとポリ状に結晶成長していた．膜圧は5[μm]．吸着を行わなかったものに比べて多く成長していることは変わらなかった．劈開を行った際に一部剥離する部分も観られた．


CdTe吸着後のSi基板表面モホロジー×100



MOVPE後のSi基板表面モホロジー×100



MOVPE後のSi基板劈開面×100


■研究：本日の成果
• SiにCdTe吸着(酸化膜除去，アニールなし)，MOVPE成長[408]









2003/03/19

yasuda:: 薬品調査
　 怖い薬品について調査した． メタノール(劇物)「・蒸気/空気の混合気体は爆発性である。」とか アセトン「・下水に流してはならない。」とか フッ化水素(毒物)「強酸であり、塩基と激しく反応し、腐食性を示す。多くの化合物と激しく反応し、火災や爆発の危険をもたらす。金属、ガラス、ある種のプラスチック、ゴム、被膜剤を侵す。」とか シアン化カリウム(通称:青酸カリ)(毒物)「・作業衣を家に持ち帰ってはならない。」とか

■研究：本日の成果
• 薬品調査



yasuda:: 方位の変更
　方位を変更して成長を試みる．(111)Si，(211)Si．Siのエッチングにはフッ化水素を用いる．石英管が壊れたので先生になおしてもらう．

■研究：本日の成果
• 方位の変更



yasuda:: CdTe吸着
　前処理としてCdTeの吸着を行った．Siにはポリの前兆ではないかと思われる結晶が成長していた．表面モホロジーを示す．


Si基板表面×100
融け残ったCdTeを観ると以下のようになっており，8角形をした形に穴があいていた．


CdTe表面×20


■研究：本日の成果
• CdTe吸着



yasuda:: Au蒸着
　400の基板に再度金の蒸着を行った．しかし，表面モホロジーを観るとメサ形成時のマスクが残っているようにも思われた．前回の表面処理によるCdTe層の浸食が影響したものと考えられる．


Au蒸着面×50


■研究：本日の成果
• Au蒸着









2003/03/18

yasuda:: メサ形成
　メサ形ダイオードを作る．行程はフォトリソグラフィを行った．ICの生成に似た方法．こんな感じ．
メサ形成の2回目の露光に失敗．以下のようになってしまう．


基板表面×50
目標は以下のようになる．


基板表面(目標)×10


■研究：本日の成果
• メサ形成









2003/03/17

yasuda:: Si基板前処理
　Siは酸化しやすい．しかし，900[℃]以上でないとSiの酸化膜がとれない．そこで950[℃]程度まで光で温度を上げ，酸化膜を取り除く．そして，そのままではまたすぐに酸化してしまうために，CdTe等の層を蒸着させる．この処理を行い成長させ，剥離しなければSiでも有効に成長が見込める．以下の手順で基板の前処理を行う．
1. 水流す
2. 主電源を入れる
3. 回転真空ポンプの電源を入れる
4. リークバルブを閉じる
5. 荒引きくバルブを閉じる
6. N2を流す
7. 圧力計を調整
8. N2バルブを開ける
9. 圧力をあげる．大気圧にする．
10. ガラス管を取り外す
11. 気化させる固体を入れる(CdTe)
12. 蒸着させる基板を入れる(エッチングしたSi)20[cm]のところ
13. ガラス管を元に戻す
14. 水で濡らしたガーゼを接続部にのせる．ゴム製のOリングを保護するため
15. 真空引きする
16. H2を入れる．1気圧
17. 電源を入れ予熱する
18. 電源を入れ加熱する(950[℃])10分．酸化膜除去
19. 蒸着させるものを加熱する．10分．CdTe蒸着
20. 電源を入れ加熱する(950[℃])10分．アニール
21. ランプ冷却
22. H2を止める
23. 真空引きをする
24. N2を入れる．大気圧にする．
25. 取り出す
26. ガラス管を元に戻す※以下立ち下げ．
27. 真空引きをする
28. H2のボンベ根本の元栓を閉める
29. H2のボンベ根本を引く(2[kg/cm2]以下)
30. H2を下流より閉じる
31. N2を下流より閉じる
32. 回転真空ポンプを止める
33. リークバルブを開ける
34. 主電源を落とす
35. 水止める
これらの処理をしたものをMOVPE装置に入れ成長させる．

■研究：本日の成果
• Si基板前処理



yasuda:: MOVPE成長
　MOVPE成長を行った．約5[μm]成長．これまでは約2[μm]であったので，前処理による効果は大きい．前処理ではCdTeは融けていなかったために成長は見込めないかと思われたが，以外と成長は成功した．ただし，ポリ結晶であった．

■研究：本日の成果
• MOVPE成長









2003/03/14

yasuda:: 自習
　論文を読むなど．H2，一般N2ボンベの取り替え．草間さんが来る．

■研究：本日の成果
• 論文読解



yasuda:: Si基板にCdTe成長実験
　Si基板をエッチングし前処理として950[℃]程度に加熱し，酸化膜を取り除き，Teを700[℃]程度に加熱し，Te層を蒸着させる．MOVPE装置に入れCdTeを1時間成長させる．表面を観る．ポリであった．

■研究：本日の成果
• Si基板にCdTe成長実験









2003/03/12

yasuda:: PL測定
　機材準備
1. レーザーの電源を入れる
2. 液体He，液体Nを汲む
3. 液体Heをクライオスタットに入れる
4. クライオスタットの位置をセット
5. He回収ラインにバルーンをつなぐ
6. 液体Nを光電子増倍管につなぐ
7. 光電子増倍管のパージをする
8. 液体Nの圧力用に電圧を10[V]→20[V]→30[V]とあげる
9. 光電子増倍管の電源を入れる
10. ロックインランプに光電子増倍管，チョッパ，レコーダを接続
11. 電源を入れる

測定準備
1. 光路をあわせる
2. レーザのピークのでる波長を探す
3. 分光器の波長ダイヤルのずれを確認し記録しておく
4. スリットを閉じ，信号がでなくなる位置を記録しておく
5. パソコンを起動し自動計測プログラムをロードする
6. レーザにフィルタをかける(手袋で)

測定
1. 全波長を測定しピークのところでスリットを絞る(全体10[μV]，部分3[μV]程度)
2. 光路をあわせる
3. CdTe 7600～9200[Å]をスキャンしてレンズを調整
4. ピークが8割程度になるようにする



■研究：本日の成果
• PL測定









2003/03/10

yasuda:: 基本成長
　原料の確認を行うための成長．CdTeを1時間積む．基板はウェハの端を使用．11:30開始，16:00終了．成長膜厚約2[μm]．ピットが大量に観られた．
1. 基板エッチング
2. MOVPE装置の立ち上げ
3. 1時間積む
4. 成長基板の取り出し
5. MOVPE装置の立ち下げ
6. 成長基板の劈開
7. 基板の表面及び劈開面の確認


■研究：本日の成果
• 基本成長









2003/03/07

yasuda:: 劈開
　周囲に関しては整った成長が行われていない可能性があるので整形する．(100)方位であればスクライバーで正しく劈開できるはずであるので，劈開させる．欠点として金が剥がれる可能性がある．断面がきれいにならない．そこで，メスを使って劈開させた．ミラー指数

■研究：本日の成果
• 劈開



yasuda:: I-V特性
　I-V特性を測定した．半導体になっているかどうかがわかる．一部抵抗になっているものとかがあった．

■研究：本日の成果
• I-V特性測定



yasuda:: C-V特性
　あまり良い特性ではなかった．

■研究：本日の成果
• C-V特性測定









2003/03/06

yasuda:: 電極形成
　以下の手順で電極を形成させた．時間がかかる作業だった．
1. 表面(CdTe面)を金蒸着する
2. 金蒸着した面が隠れるように，ガラス板にレジストを塗る
3. 30分ベークし，固定する
4. 裏面(GaAs面)をコンパウンドで研磨し，薄くする
5. Br:HBr:H2Oで1分エッチングを行う
6. リンスする
7. アセトンで剥がす
8. リンスする
9. 裏面(GaAs面)を金蒸着する


■研究：本日の成果
• 電極形成









2003/03/05

yasuda:: MOVPE装置停止
　昨夜から約12時間経過．MOVPE装置を停止させる．初の操作で多少戸惑う．手順の概略を以下に示す．
1. 原料を止める．元栓を止める．水を加える
2. アッパー，サセプタを止める
3. サセプタを下げる
4. 150℃になるまで待つ
5. ゲートバルブを開く
6. フォークでつかみ，取り出す
7. リアクタ内はサセプタヒータを持ち上げ掃除する


■研究：本日の成果
• 午前：MOVPE装置を使った実験



yasuda:: 膜厚測定評価
　成長させたものを評価した．以下の方法で行った．
• 目視表面の状態を確認
• NOMで表面評価
• NOMで断面評価
結果，膜厚は約100[μm]であり目標を達成した．

■研究：本日の成果
• 午後：膜厚測定評価



yasuda:: 結晶性評価
　X線回折装置を用いて半値幅を測り評価を行った．約61.0[Var]だった．まあまあ良いらしい．多少被爆した．以下の手順で実験を行った．
1. X線回折装置を起動する
2. X線が出ていることを確認するためにSi基盤で試す
3. 評価基盤を取り付ける
4. X線を出す
5. 結晶にX線を当てたときに大きなピーク値がでるように微調整する(被爆)
6. ピークが入るように角度を変化させて計測する
7. X線を止める
8. 計測結果を計算機で処理
9. Si基盤を取り付け元に戻す
10. X線を出す
11. 結晶にX線を当てたときに大きなピーク値がでるように微調整する(被爆)
12. X線を止める
13. X線解析装置を停止させる
結果，膜厚は約100[μm]であり目標を達成した．

■研究：本日の成果
• 午後：結晶性評価



yasuda:: 金蒸着
　デバイスを作成するために金の蒸着を行う．金蒸着装置が故障したため中断．

■研究：本日の成果
• 金蒸着









2003/03/04

yasuda:: 自習
　どのような評価方法があるか調べた．以下の表に示す計測方法を用いる


特性	評価方法
膜厚測定	ノマルスキー光学顕微鏡(NOM)
結晶性測定	X線回折(回折線のロッキングカーブの半値幅)
光学特性	フォトルミネッセンス(PL)
元素分析	二次イオン質量分析法
電気特性	VanderPauw法によるHall効果測定
ダイオード特性	電流電圧特性・容量電圧特性
キャリア輸送特性	電流電圧特性・容量電圧特性



■研究：本日の成果
• 計測方法の調査



yasuda:: MOVPE装置起動
　MOVPE装置の起動を行った．手順の概略を以下に示す．
1. ラインをきれいにする(パージ)
2. サセプタを下げる
3. GaAs基盤のエッチング処理
4. MOVPE装置に入れる
5. サセプタに乗せ，成長位置まで移動
6. 温度調節器と原料供給装置の初期設定を行う
7. サセプタヒーターの温度を上げ水素アニーリングを行う
8. プログラムを起動させる
9. 以降12時間程度待つ


■研究：本日の成果
• 午前：掃除と模様替え．マシンセッティング
• 午後：MOVPE成長









2003/03/03

yasuda:: 研究記録
　今日より研究記録をつけることにする．実験内容や，実験方法，気づいたことや，思ったことなどを記録する予定．(すでに実験が始まっているので，早く追いつかなくてはならないと思いつつ，進行してきます．)
すでに2/25の段階でMOVPE実験の簡単な説明を受ける．2/26にはPLの測定方法の説明を受ける．2/28は実験なし．
異分野であるのでわからないことが多すぎるが，がんばってみようと思う．

■研究：本日の成果
• 午前：実験があったらしいが参加できず^^;
• 午後：システムマネジメント工学演習の発表のため参加できず
• CT-400







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わが師匠．回路系．某E科,R部の先輩





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